本实用新型涉及一种
芯片背面
复合材料多层金属化结构,属集成电路或分立器件制造技术领域。所述结构自上至下依次由硅衬底层(1)、金-硅共溶层(2)、金接触层(3)、阻挡层(4)和金属保护层(5)共五层复合而成,所述阻挡层(4)材料为锡铜合金,金属保护层(5)材料为锡或铜或银或金。本实用新型的有益效果是:本实用新型利用金-硅共溶层合金效果降低芯片内部残余应力,整体金属化结构采用多层金属分布减少贵重材料消耗,利于大规模生产制造。
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