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具有SiC-HfB2-Si单层复合涂层的碳/碳复合材料的制备方法

652   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:39:01
本发明涉及一种具有SiC‑HfB2‑Si单层复合涂层的碳/碳复合材料的制备方法,采用料浆浸渍法在碳/碳表面制备树脂碳‑SiC‑HfO2‑B4C‑Si多孔预涂层,随后气相渗硅,气相硅与碳/碳基体反应生成SiC过渡层,有利于提高涂层与基体的结合力。高温烧结使HfO2、B4C与树脂碳发生原位反应生成HfB2,有利于规避直接添加HfB2因其本身烧结性差引起的的颗粒分布不均问题。硅在高温环境下具有良好流动性,最终可协同提高涂层的整体致密性。SiC、HfB2和Si在涂层中形成多相镶嵌界面,HfB2钉扎在复合涂层中,可诱导涂层中裂纹偏转,还可缓解裂纹尖端应力。本发明所制备的SiC‑HfB2‑Si复合抗氧化涂层具有一种新颖的过渡层及致密的镶嵌结构,与基体结合良好,具有优异的长时抗氧化及抗热震性能。
声明:
“具有SiC-HfB2-Si单层复合涂层的碳/碳复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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