本发明提供了一种ZnO基
复合材料及其制备方法和QLED器件,属于光电材料技术领域。本发明提供的ZnO基复合层材料的电阻高于ZnO,降低了电子传输层的电子迁移率,减小了电子注入与传输的效率,有效调控了ZnO层的电子注入能力;其中,胺基修饰的SiO2包覆层的NH2‑封端可在发光层/电子传输层的界面形成偶极层,构成界面间的逆向电场,改变电子注入的方式,进一步调控了界面的电子传输,使QLED的电荷注入趋近完全平衡,降低了由于载流子注入不平衡引起的非辐射复合;SiO2壳层隔绝了ZnO与量子点的直接接触,有效削弱了ZnO表面的缺陷态对量子点的荧光猝灭,最终提高了QLED器件的外量子效率和使用寿命。
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