本发明涉及异质结制备技术领域,具体而言,涉及一种
复合材料异质结的制备方法。该制备方法包括以下步骤:在衬底上镀掩模,在掩模上甩预设厚度的HSQ Fox‑系列电子束光刻胶,经曝光显影后在掩模上形成光刻胶三维图形。在掩模及光刻胶三维图形上甩正性电子束光刻胶,经电子束曝光显影后在掩模上形成凹槽,刻蚀除去凹槽中的掩模,除去正性电子束光刻胶。利用分子束外延技术在所述凹槽中的衬底上生长第一相材料,使光刻胶三维图形相对第二相材料束流方向倾斜预设角度,使光刻胶三维图形的投影部分遮挡部分第一相材料,在未遮挡部分原位生长第二相材料以形成异质结;第一相材料为半导体纳米线。该方法能够进行选区生长半导体纳米线。
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