本发明公开了一种集成电路器件的导热
复合材料层及电子器件导热结构封装方法,采用化学气相沉积或溶剂剥离方法制备单层、双层、少层的氮化硼烯和
石墨烯,通过相应的转移技术,先后转移到功率
芯片的局部热点上。以氮化硼烯作为电路的绝缘保护层,同时发挥其与石墨烯良好的热传导性能,可以在高热流密度的大功率电子器件中满足散热需求。
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