本发明公开了一种基于二维Ti3C2Tx/MOS
复合材料的气体传感器及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:提供平面电极基片;称取多层Ti3C2Tx材料进行插层、超声分散处理,得到少层Ti3C2Tx分散液;将所述少层Ti3C2Tx分散液滴涂于所述的平面电极基片的上表面并干燥,形成Ti3C2Tx薄膜;提供MOS靶材,通过磁控溅射在Ti3C2Tx薄膜表面沉积MOS薄膜,得到具有双层气敏材料薄膜的平面电极基片,并经后续组装,完成基于二维Ti3C2Tx/MOS复合材料的气体传感器的制备。本发明制备方法制得的传感器具有优良的灵敏度、选择性、循环稳定性以及可恢复性,且制备方法简单可靠,重复性高,适于大规模生产。
声明:
“基于二维Ti3C2Tx/MOS复合材料的气体传感器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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