本发明提供了一种石墨相氮化碳/Ti‑MOF
复合材料的制备方法,是将g‑C
3N
4与NH
2‑MIL‑125(Ti)混合后充分研磨,再放入马弗炉中经煅烧,得g‑C
3N
4@NH
2‑MIL‑125(Ti)复合材料。本发明利用简单的煅烧方法将八面体形NH
2‑MIL‑125(Ti)负载于g‑C
3N
4纳米片上,大大提升了纯的g‑C
3N
4对可见光的吸收强度。在可见光的照射下g‑C
3N
4吸收能量,产生电子,再利用NH
2‑MIL‑125(Ti)的特殊结构将电子与空穴分离,减少电子与空穴的复合,g‑C
3N
4@NH
2‑MIL‑125(Ti)构成价带和导带相交错的n‑n异质结构,促进了电子和空穴的有效分离,提高了光催化产氢率。
声明:
“石墨相氮化碳/氨基化钛类半导体金属有机框架复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)