本发明涉及一种通过超高温陶瓷粉基体改性制备超高温陶瓷基
复合材料的方法。本发明采用真空压力浸渍法在30%vol-40vol%气孔率C/SiC中引入超高温陶瓷(UHTC)粉体和碳有机前驱体,结合反应熔体渗透法(RMI)使熔融硅和基体中裂解碳原位反应生成SiC并使材料致密化,制备C/SiC-UHTC复合材料。采用30vol%-40vol%气孔率C/SiC作为预制体,一方面SiC基体在RMI过程中保护纤维不受熔融硅侵蚀以提高材料的力学性能,另一方面可以在预制体中引入一定量的UHTC粉体提高抗烧蚀性能。
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