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制备聚吡咯/凹凸棒土纳米导电复合材料的方法

590   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:25:01
本发明公开了一种制备聚吡咯/凹凸棒土纳米导电复合材料的方法,先向去离子水中加入凹凸棒土配制成凹凸棒土浆料,水与凹凸棒土的质量比为4~19∶1;将吡咯单体和掺杂剂分别加入到凹凸棒土浆料中搅拌均匀,吡咯与凹凸棒土的质量比为0.1~0.5∶1,掺杂剂与吡咯的摩尔比为0.15~1.05∶1;再在混合浆料中加入氧化剂,氧化剂与吡咯的摩尔比为1~5∶1,在10~60℃下化学氧化聚合10~30MIN;最后进行固液分离后用去离子水洗涤至滤液为无色;将滤饼于60~150℃下干燥、粉碎得到聚吡咯/凹凸棒土纳米导电粉体。本发明采用快速化学氧化原位聚合的方法,在一维纳米棒状凹凸棒土单晶表面包覆上导电高分子聚吡咯制得,不需特殊前处理,合成工艺简单快捷,导电性能优异,热稳定性能优良。
声明:
“制备聚吡咯/凹凸棒土纳米导电复合材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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