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半导体基片热沉复合材料的制备方法

824   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:22:02
本发明涉及一种半导体基片热沉复合材料的制备方法,该方法主要步骤:钽丝预处理,硅衬底预处理,硅片预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底;抽真空后通入反应物氢气和丙酮,进行微米晶金刚石薄膜成核;调节丙酮和氢气流量及温度等条件,进行微米晶金刚石薄膜生长;然后进行纳米晶金刚石薄膜生长:调节丙酮和氢气的流量,衬底温度控制在600~650℃,薄膜生长时间3~5小时,由此获得表面比较光滑的金刚石复合薄膜,即为半导体基片热沉的复合材料。本发明设备简单、生长速度快、质量较好、易实现大面积沉积等优点。
声明:
“半导体基片热沉复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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