本发明公开了一种半导体型MoS
2量子点修饰的TiO
2纳米棒阵列
复合材料的制备方法。包括:(1)制备半导体型MoS
2电极;(2)配制十六烷基溴化铵的乙腈溶液;(3)组装
电化学反应装置;(4)通电进行电化学反应;(5)电化学反应后,将半导体型MoS
2移入有机溶剂,得混合液;(6)将混合液超声处理后分离,取分离后上清液,得半导体型MoS
2量子点的有机溶液;(7)将TiO
2纳米棒阵列样品置于半导体型MoS
2量子点的有机溶液中并超声处理,然后升温热处理,得半导体型MoS
2量子点修饰的TiO
2纳米棒阵列复合材料。本发明的制备方法简单、便于工业生产,具有广阔的应用前景。
声明:
“半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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