本发明公开了一种制备SiO/C
复合材料的设备,其包括炉体,以及在炉体内部的反应室,过渡室,沉积室和真空室。在低真空度下,反应室中的固态硅和二氧化硅会在1000‑2000℃的高温下反应生成氧化硅蒸气,经过过渡室的传导进入沉积室。在此同时通入有机碳源气体,有机碳源气体在一定温度下能裂解成非晶态导电碳,它与氧化硅蒸汽相互结合,最后会在沉积室的沉积基体上共同沉积出来,得到的是内部碳层分布均匀,外部含有碳包覆层的SiO/C复合材料。
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