本发明提供一种基于光敏
复合材料的三维硅基转接结构加工方法及装置,涉及晶圆级三维异质集成封装工艺技术领域,包括:步骤S1:在硅基衬底上制作正面保护膜和背面保护膜;步骤S2:在硅基衬底的背面制作波导金属侧壁,形成TSV盲槽;步骤S3:在硅基衬底的正面制作转接结构的背腔结构,并填充光敏复合材料;步骤S4:在背腔结构上方制备介质掩膜层,并在顶层介质层上方制作顶层金属图案;步骤S5:利用光刻掩膜与干法刻蚀进行体硅刻蚀并划片,得到完整转接结构。本发明能够极大缩减射频系统的整体尺寸,在实现小型化的同时提供了波导输出接口,提升互连自由度与灵活度。
声明:
“基于光敏复合材料的三维硅基转接结构加工方法及装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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