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SiO2@ Tb(phen-Si)L核壳结构纳米发光复合材料的合成方法

982   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 16:09:02
一种SiO2@ Tb(phen-Si)L核壳结构纳米发光复合材料的合成方法。以粒径为500nm的SiO2微球为内核，用phen-Si修饰。以亚砜和高氯酸铽有机配合物为包覆层，合成SiO2@ Tb(phen-Si)L核-壳型稀土纳米发光复合物。本发明属于稀土有机发光材料领域。主要解决的问题是将以往的SiO2掺杂类型的稀土发光材料做成核壳型稀土发光材料。具体方法是用硅烷偶联剂phen-Si做“分子桥”，使其一端与硅球连接， 另一端的双N原子与稀土Tb3+配位，同时亚砜配体也可以与Tb3+配位，结果在phen-Si修饰的SiO2微球外层包覆上稀土亚砜配合物，得到两种新的SiO2(500)@Tb(Phen-Si) L(20) ，SiO2(500)@Eu(Phen-Si)L(100)的SiO2核壳结构纳米发光复合材料。本发明材料制备方法简单，稀土有机配合物包覆层为纳米级，故高纯稀土用量极少，成本低。同时获得了发光性能优异的核壳结构纳米发光材料。
声明：
“SiO2@ Tb(phen-Si)L核壳结构纳米发光复合材料的合成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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