本发明公开了一种银掺杂聚吡咯包覆石墨
复合材料及其制备方法。所述方法先将天然鳞片石墨置于氧化剂与插层剂的混合溶液中进行氧化插层处理得到可膨胀石墨,然后将硝酸银溶液、吡咯单体溶液与可膨胀石墨混合,以硝酸银为氧化剂,促进吡咯单体的原位聚合,同时硝酸银被还原成银单质掺杂于聚吡咯,制得核‑壳型银掺杂聚吡咯包覆石墨复合材料。本发明方法简单,制得的银掺杂聚吡咯包覆石墨复合材料的电导率可达18.037S/cm,导电性能良好。
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