本发明涉及一种N掺杂多壁
碳纳米管修饰的SiC
复合材料及其制备方法,所述制备方法包括使用的SiC来源于
太阳能电池硅片切割废料中的SiC基混合物,SiC基混合物还原后,经过热处理,然后在一定温度下引入氮源,以制得N掺杂多壁碳纳米管修饰的SiC复合材料。本发明充分利用了太阳能电池硅片切割工艺中产生的工业废料中的SiC,对其进行修饰后得到N掺杂多壁碳纳米管修饰的SiC复合材料,结合SiC和氮掺杂碳纳米管各自的优势,有效改善了SiC比表面积低问题,并且可以宏量制备,制备方法简单,成本非常低。
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“N掺杂多壁碳纳米管修饰的SiC复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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