发明公开了一种自支撑多孔硅/ZnO
复合材料的制备方法,其制备步骤包括如下:自支撑多孔硅的制备,采用p型单晶硅的多步阳极氧化腐蚀为自支撑多孔硅;ZnO籽晶的生长,利用真空抽滤氧化锌溶液分散于多孔硅层之间,在氩气氛围下生长为氧化锌籽晶;复合材料的制备,水热合成法促进多孔硅层之间的氧化锌籽晶生长为纳米氧化锌层,形成一种微纳多孔硅/ZnO复合材料。本发明通过单晶硅多步阳极氧化腐蚀法,来实现多孔硅片层的生长和剥离;通过多孔硅表面的纳米氧化锌层实现了对多孔硅表面的钝化,改善了多孔硅表面高电阻和高反应活性,大大提高了多孔硅的电容特性和
电化学稳定性,拓宽了多孔硅在超级电容器领域的应用前景。
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