本发明涉及一种磷酸根离子掺杂的SnS晶体/氮掺杂rGO
复合材料及其制备方法和应用,属于
电池材料领域。一种磷酸根离子掺杂的SnS晶体/氮掺杂rGO复合材料,所述复合材料是由氮掺杂rGO纳米片和沉积在其表面的磷酸根离子掺杂的SnS纳米片组成,其中,所述掺杂的SnS晶体具有SnS晶体结构,PO43‑嵌入SnS晶格层间,Sn与O、O与P通过共价键键合。本发明使用植酸注入到SnS晶格中,实现SnS本征电子电导率的显著提高,同时有效缓解SnS晶体在钠离子嵌入/脱出时带来的体积膨胀问题。
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