本发明公开了一种基于N,S‑CDs/CuPc
复合材料的分子印迹光
电化学传感器的制备方法和在赭曲霉毒素A(OTA)检测方面的应用。本发明通过氮和硫共掺杂和非共价功能化方法的协同效应,正确调整碳点的能级,优化紧密的界面接触和延长光吸收范围和增强电荷转移效率来制备得到N,S‑CDs/CuPc复合材料,并结合分子印迹技术,成功制备了分子印迹光电化学传感器。本发明制备的传感器以N,S‑CDs和CuPc形成的复合材料作为光电转换层,通过表面修饰含有毒素识别位点的分子印迹膜来实现OTA的检测。该传感器具有检测范围宽,选择性好,灵敏度高,检测限高达0.51pg·mL
‑1;同时响应稳定,具有良好的重现性。
声明:
“基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器的制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)