本发明公开了一种铜‑石墨膜‑铜
复合材料的制备方法,包括:(1)在石墨膜表面打至少4个直径为50‑100μm的微孔;(2)对石墨膜进行预处理,除去表面油污和氧化物;(3)将石墨膜固定在基板上,放置电极并连接导线;(4)使用恒流模式,设置电流密度为1.0‑4.0A/dm
2,电镀时间为5‑40min;(5)电镀结束后用去离子水、无水乙醇浸泡,然后烘干。本发明采用电镀方法制备的铜‑石墨膜‑铜层状复合材料具有优异的热性能。其热导率为金属铜的1.66‑1.98倍,而密度仅为铜的30%左右。采用电镀方法制备的铜‑石墨膜‑铜层状复合材料具有可焊性,可以利用钎焊的方式连接在热源位置。与利用导热硅脂连接相比,在
芯片功率密度为14W/cm
2时,芯片温度降低3.53℃。
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