本发明提供了一种中子屏蔽的聚合物
复合材料、制备方法、线材及应用,涉及3D打印材料技术领域,能够实现氮化硼纳米片在聚乙烯基体中的均匀分布,通过FDM打印成型为具有中子屏蔽性能的复杂形状制件;该复合材料的组分包括:聚乙烯基体,质量百分比为80‑98.8%;氮化硼纳米片,质量百分比为1‑20%;增塑改性剂,质量百分比为0.2‑2%;所述聚合物复合材料的制备过程包括:将上述原料混合后在150‑190℃环境下熔融造粒得到。本发明提供的技术方案适用于3D打印以及材料制备的过程中。
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“中子屏蔽的聚合物复合材料、制备方法、线材及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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