本发明涉及
半导体材料领域,旨在提供TiO2/InVO4纳米结
复合材料的制备方法。该制备方法包括以下步骤:将InVO4颗粒加入到聚合物型TiO2溶胶中,反应后将沉淀过滤、洗涤获得粉体,将粉体在马弗炉中保温2h,获得TiO2量子点改性InVO4颗粒;将改性InVO4颗粒分散到乙醇水溶液中得到体系,在水浴搅拌条件下,向该体系中滴加钛酸丁酯与无水乙醇的混合液,再将沉淀过滤、洗涤烘干后,获得TiO2/InVO4纳米结复合材料。本发明避免了过量包覆形成核壳结构或纳米晶在溶液中的均相析出,利用水合钛离子作为生长基元解决了纳米晶的常压液相生长问题;制备的纳米结复合材料的表面同时表现出光催化氧化性和还原性。
声明:
“TiO2/InVO4纳米结复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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