本发明属于
纳米材料制备的技术领域,具体涉及一种WS
2纳米片修饰的TiN纳米管阵列
复合材料及其制备方法。本发明对WS
2粉末进行锂插层处理,得到金属型WS
2纳米片,然后配制金属型WS
2纳米片的DMF溶液;将金属型WS
2纳米片进行高温热处理,得到半导体型WS
2纳米片,然后配制半导体型WS
2纳米片的DMF溶液;将TiN纳米管阵列材料置于金属型WS
2纳米片或半导体型WS
2纳米片的DMF溶液中,依次进行超声处理、浸泡、干燥,得金属型WS
2纳米片或半导体型WS
2纳米片修饰的TiN纳米管阵列复合材料。本发明的WS
2纳米片修饰的TiN纳米管阵列复合材料有望在电催化领域得到广泛应用。
声明:
“WS2纳米片修饰的TiN纳米管阵列复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)