本发明涉及一种高热导率氮化硅-氮化铝
复合材料及其制备方法,该复合材料由以下质量百分比的原料成分经混合、球磨、干燥、烧结而成:氮化硅55~90wt.%,氮化铝5~35wt.%,烧结助剂0~10wt.%;各成分用量之和为100%。本发明通过向Si3N4材料中添加AlN制得的Si3N4-AlN复合材料,所制得的Si3N4-AlN复合陶瓷材料除了具有一般氮化硅陶瓷的优异性能外,还具有热导率高的特点,可以满足半导体器件和集成电路等对热导率要求较高的场合的应用要求。
声明:
“高热导率氮化硅-氮化铝复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)