一种
碳纤维增强的氮化硅-碳化硅陶瓷基
复合材料的增密方法。首先通过CVI或是PIP来制备C/SiC陶瓷基复合材料。对C/SiC陶瓷基复合材料进行CVI碳化硅,由于纤维束间交叉空隙大,将CVI时间延长时间为20~30小时。当CVI碳化硅增密到80~90%时,在C/SiC表面涂刷硅粉,尤其是在大孔处填充。烘干后进行氮化处理。氮化完成以后,再通过CVD给CMC表面制备SiC涂层,CVD时间为20~30小时,便完成了碳纤维增强氮化硅-碳化硅陶瓷基复合材料的增密。这种增密方法不仅提高了CMC制备的效率,还减小了基体的热膨胀系数,提高了CMC的抗热震性能。
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