本发明属于金属基
复合材料技术领域,公开一种Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法,所述制备方法包括在SiC粉体表面包覆SiO2‑Cu2O复合物,制得SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶,随后向所述复合气凝胶中加入Cu粉,混合均匀后将其于800~950℃温度下进行热压烧结,即获得金属基复合材料;其中,所述Cu粉体与所述SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶的体积比为1:0.01~0.2。本发明采用SiO2‑Cu2O作为Cu与SiC界面过渡相,通过调控界面结构减小SiC与Cu润湿角,改善界面结合状态、力学性能及电学性能;且本发明的Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料硬度最高达到1.4GPa;0~200℃电导率不随测试温度改变而变化,200~400℃电导率随测试温度的增加而缓慢增加,400~900℃电导率随测试温度的增加而急剧增加。
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“Cu/SiO2-Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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