本发明公开了一种π‑d共轭Cu‑MOF/碳化钛
复合材料的制备及其在
电化学储能中的应用。首先需制备超薄Ti
3C
2纳米片,再将超薄Ti
3C
2纳米片、Cu(NO
3)
2·3H
2O、HHTP分散在DMF和H
2O混合溶剂中,水热条件下即可制备π‑d共轭Cu‑HHTP/Ti
3C
2复合材料。与现有技术相比,本发明公开的制备方法操作简单,制备的π‑d共轭Cu‑HHTP/Ti
3C
2复合材料具有较高的比表面积、较多的活性位点和较高的导电性;在Ti
3C
2超薄纳米片诱导下,Cu‑HHTP具有八面体结构;该复合材料具有优于单一Cu‑HHTP的优异的电化学储能性能。
声明:
“π-d共轭Cu-MOF/碳化钛复合材料的制备及其在电化学储能中的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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