本发明涉及一种氧化铈纳米棒阵列/
石墨烯复合材料的制备方法及其在光阴极保护中的应用,本发明以导电基质为衬底,通过电沉积法在衬底上生长CeO
2纳米棒阵列。然后以SnCl
2乙醇溶液活化CeO
2纳米棒阵列,将Sn
2+沉积于CeO
2纳米棒阵列上,浸入GO溶液中,通过Sn
2+将GO还原成rGO,同时Sn
2+与rGO静电吸附,使得CeO
2纳米棒阵列连接在石墨烯上片,构建氧化铈纳米棒阵列/石墨烯复合材料。氧化铈纳米棒阵列结构不仅能够提高光吸收率,在光照下能有效促进电子‑空穴的分离和载流子的定向传输效率,将片状材料的物理阻隔和传统光阴极防腐相结合,发挥了两者的协同作用,进一步提高了防腐性能。
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“氧化铈纳米棒阵列/石墨烯复合材料的制备方法及其在光阴极保护中的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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