一种SiC@SiO
2@铁氧体高温吸波
复合材料及其制备方法,它涉及高温吸波复合材料及其制备方法。它是要解决现有的吸波材料制备工艺复杂、吸波范围较窄、无屏蔽效应的技术问题。本发明的吸波复合材料是以SiC为核,核外包覆SiO
2层,在SiO
2层上粘附着铁氧体粒子。制法:一、碳化硅表面预处理;二、合成包覆二氧化硅的碳化硅SiC@SiO
2;三、SiC@SiO
2经敏化、活化后,在碱液中与制备铁氧体的盐、强还原剂进行反应,然后再焙烧,得到SiC@SiO
2@铁氧体高温吸波复合材料。本材料在8~12GHz波段和Ku波段的反射损耗均低于‑5dB,最大反射损耗达到‑14dB,可用于吸波材料领域。
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“SiC@SiO2@铁氧体高温吸波复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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