本发明涉及一种半导体改性的TiO
2纳米管阵列
复合材料及其制备方法,其中,方法包括如下步骤:步骤一、采用阳极氧化法制备TiO
2纳米管阵列;步骤二、将镉源、铅源和硫源分别溶于醇类溶剂中得到镉源前驱体溶液、铅源前驱体溶液和硫源前驱体溶液;步骤三、利用超声辅助进行连续离子层沉降在TiO
2纳米管阵列的内壁和外壁同时形成均匀的CdS颗粒和PbS颗粒,再经热处理后得到半导体改性的TiO
2纳米管阵列复合材料。本发明制得的CdS/PbS/TiO
2纳米管阵列复合材料中在纳米管的内外壁上能够形成大面积均匀的CdS和PbS颗粒,大大增强了该复合材料对太阳光的利用率。同时方法简单、过程易于操控且材料复合均匀。
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我是此专利(论文)的发明人(作者)