本发明公开了一种具有高导电性插层结构的
复合材料及其制备方法,即聚吡咯/氧化石墨复合材料的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)首先将氧化石墨分散在PH=1~3的盐酸水溶液中,再加入表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵,室温下超声波处理30~60MIN,得到胶体分散液。(2)将吡咯单体加入到步骤(1)的胶体分散液中,磁力搅拌下,加入过硫酸铵,在0~5℃下进行乳液聚合3~24H。最后将产物抽滤,分别用丙酮、去离子水洗涤,干燥后得到高导电性的插层结构聚吡咯/氧化石墨复合物。
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“具有高导电性插层结构的复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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