本发明属于电池技术领域,公开了一种ZnS/SnS/三硫化二锑@C空心纳米立方体结构
复合材料及其制备方法和应用,所述复合材料是先将水、四氯化锡、柠檬酸钠、氯化锌、氢氧化钠混合,经水洗干燥制得H‑ZHS;将H‑ZHS超声分散于水溶液中,加入氢氧化钠或氢氧化钾进行刻蚀,加入多巴胺搅拌,经水洗干燥,所得H‑ZHS@PDA;将H‑ZHS@PDA与硫脲,在氢气氛围中在300~350℃进行硫化,冷却至室温,再将所得H‑SnS
2/ZnS@PDA、三氯化锑和无水乙醇混合在90~120℃水热反应,经水洗干燥,将所得H‑ZnS/SnS
2/Sb
2S
3@PDA在氩气氛围中,在500~530℃碳化,冷却至室温制得。
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