本发明提供一种在C/SiC
复合材料中原位生长β-SiC纳米纤维的方法,其步骤:(1)将
碳纤维织物在管式炉中脱胶除去表面环氧树脂胶;加热温度在350~450℃,保温25~40min,氮气保护;将聚碳
硅烷充分溶解于溶剂中,配成质量百分比浓度在30~40%聚碳硅烷溶液;(2)采用真空浸溃的方法将聚碳硅烷溶液浸渍碳纤维织物;将浸渍碳纤维织物取出,在空气中凉干,在管式炉中230~250℃固化1~3小时;(3)将步骤(2)固化后的浸渍碳纤维织物在1100~1400℃下高温裂解1~2小时,得到陶瓷基复合材料。本发明直接在制备复合材料的过程中原位生成SiC纳米纤维,SiC纳米纤维生长在孔洞处,在一定程度上实现了后续循环中前驱体浸渍剂的均匀分布,减少材料缺陷,提高复合材料的使用性能;本方法工艺简单,易于控制,操作方便。
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