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降低熔渗工艺制备SiCf/SiC复合材料中残余硅含量的方法

721   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:34:03
本发明属于陶瓷基复合材料制备技术领域,具体涉及一种降低熔渗工艺制备SiCf/SiC复合材料中残余硅含量的方法。该方法利用碳化硅纤维作为纤维增强体,与含Ti粉或TiC粉的料浆制备成预浸料后,通过热压成型、炭化、熔渗制备出碳化硅纤维增强碳化硅复合材料。由于Ti或TiC的引入,可以与基体内的残余硅发生反应生成TiSi2。该方法不仅可以克服熔渗工艺制备陶瓷基复合材料基体内残余硅的缺点,同时可以在确保复合材料原有力学性能不受影响的基础上,提升其高温稳定性。
声明:
“降低熔渗工艺制备SiCf/SiC复合材料中残余硅含量的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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