合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 复合材料技术

> 降低熔渗工艺制备SiCf/SiC复合材料中残余硅含量的方法

降低熔渗工艺制备SiCf/SiC复合材料中残余硅含量的方法

668   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:34:03
本发明属于陶瓷基复合材料制备技术领域,具体涉及一种降低熔渗工艺制备SiCf/SiC复合材料中残余硅含量的方法。该方法利用碳化硅纤维作为纤维增强体,与含Ti粉或TiC粉的料浆制备成预浸料后,通过热压成型、炭化、熔渗制备出碳化硅纤维增强碳化硅复合材料。由于Ti或TiC的引入,可以与基体内的残余硅发生反应生成TiSi2。该方法不仅可以克服熔渗工艺制备陶瓷基复合材料基体内残余硅的缺点,同时可以在确保复合材料原有力学性能不受影响的基础上,提升其高温稳定性。
声明:
“降低熔渗工艺制备SiCf/SiC复合材料中残余硅含量的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
复合材料
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届关键基础材料模拟、制备与评价技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记