本发明公开了一种由纳米片形成的C掺杂花球状TiO
2/MoS
2复合材料及其制备方法,其中TiO
2由锐钛矿和单斜晶TiO
2(B)组成。首先以乙酸为溶剂,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为分散剂和碳源,以钛酸四丁酯(TBT)为钛源,采用溶剂热法、经煅烧制备花球状C掺杂TiO
2;以合成的C掺杂TiO
2为骨架,再以钼酸铵为钼源,以硫脲为硫源经过水热法得到C掺杂TiO
2/MoS
2复合材料。本发明通过调控钼源和硫源的量来调控复合材料中TiO
2和MoS
2的质量比,通过调控煅烧温度来调控TiO
2的晶型。另外,复合之后并没有改变TiO
2的形貌。并且本发明在制备复合材料的过程中,制备方法简单,制备过程安全,能耗低,可操作性强。
声明:
“由纳米片形成的C掺杂花球状二氧化钛/二硫化钼复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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