一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球
复合材料的制备方法,它涉及纳米SiO2空心球复合材料的制备。本发明是要解决现有技术存在制备的聚酰亚胺薄膜介电常数高,难以满足微电子行业对于基材技术要求的问题。方法:一、制备纳米SiO2空心球粉末;二、制备纳米SiO2空心球/聚酰胺酸胶液;三、制备三层纳米SiO2空心球/聚酰胺酸薄膜;四、热亚胺化;五、脱膜,即得到基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料。本发明制备基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的介电常数低至1.9,可广泛适用于高速集成电路挠性覆铜箔板基材中。本发明用于一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备。
声明:
“基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)