本发明涉及一种
石墨烯/金属或合金
复合材料的直接制备方法,以廉价易得的碳源气体为反应原料,以活性金属或合金箔为衬底,在还原性气体和保护气氛下,通过CVD法在金属或合金衬底表面催化生长石墨烯,一步制得石墨烯/金属(合金)复合材料,克服了常规石墨烯合成、分离、转移和与目标材料再复合工艺所带来的问题,实现了高品质石墨烯/金属(合金)复合材料的快速制备,满足了部分电子器件和复合材料对石墨烯的应用要求;本发明方法工艺流程简单、成本低、石墨烯层数可控,更为重要的是消除了分离转移过程对石墨烯品质的破坏,也降低了石墨烯与金属(合金)再复合的工艺风险。
声明:
“石墨烯/金属或合金复合材料的直接制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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