本发明属于电子材料技术领域,具体为一种低电导率非磁性太赫兹屏蔽
复合材料及其制备方法。该复合材料包括有机硅橡胶与MXene的混合基底层和超薄导电铜层;超薄导电铜层为铜纳米粒子构成的金属层。本发明采用热压成型、自催化化学镀等技术手段,制备出一种具有三明治结构的“(有机硅橡胶与MXene混合体)‑Cu‑(有机硅橡胶与MXene混合体)”复合材料;所制备的复合材料电气绝缘性优异且无磁性,但具有良好的太赫兹屏蔽性能;由于铜层与MXene层的协同复合作用,使得在未引入磁性金属的情况下,制备的太赫兹屏蔽复合材料在0.1‑2.2THz范围内具有超过38dB的平均屏蔽效能,而电导率低至0.7S/m。
声明:
“低电导率非磁性太赫兹屏蔽复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)