本发明公开了一种In2O3‑CNH纳米
复合材料的制备方法及使用其复合材料制备气敏元件的方法,In2O3‑CNH纳米复合材料的制备方法包括1:制备In(OH)3粉末;2:基于粉末制备In2O3纳米立方体;3:收集带正电荷的In2O3;4:获得In2O3‑CNH纳米复合材料,气敏元件的制备方法为基于复合材料与乙醇混合后,涂抹在电极上,红外干燥两小时,冷却后焊接到电路板底座上,并老化5天,本发明构建的In2O3‑CNH气体传感器具有响应速度快、灵敏度高、稳定性好、选择性好、检测限低的特性,能对H2S进行准确、快速的检测;其突出的特点是工作温度低,可以在70℃下工作,可以极大地降低器件能耗。
声明:
“In2O3-CNH纳米复合材料及其制备的气敏元件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)