一种对金刚石表面镀Mo及金刚石/Cu
复合材料的制备方法,属于金属基复合材料和电子封装材料领域。其特征是将金刚石:MoO3=1:2~1:4(wt%)混合均匀,将其装于
氧化铝坩埚中,分别置于通有氢气、氩气气氛的管式炉中加热。加热温度为900~1050℃,保温时间2~4h,完成镀钼过程。样品随炉冷却取出后,对金刚石颗粒进行超声波清洗并烘干。按镀钼后的金刚石:Cu=60:40~40:60(体积%)配比称量置于行星球磨机中混合均匀。球磨机转速为300r/min,球磨时间为120min。最后,将球磨后的混合物置于石墨模具中,采用放电等离子烧结法制备金刚石/铜复合材料,烧结完成即得到高导热率的金刚石/Cu电子封装复合材料。本发明制备的电子封装复合材料热导率高,可重复性强。
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