本发明属于
复合材料和抗辐照损伤结构材料领域,具体为一种抗辐照损伤金属纳米晶/
碳纳米管复合材料及其制备方法。复合材料由自支撑CNT基体以及均匀附着在其表面生长的金属纳米晶构成,相邻纳米晶粒成取向差为1~10°的小角度倾转晶界,晶粒尺寸≤250nm,孔隙率≥50%。制备方法包括:提供承载和加热功能的样品支架,在加热条件下对其承载的CNT基底进行等离子体清洗处理;将预处理的CNT基底在0.2至2Pa气压(Ar气体),20至800℃的温度下,利用磁控溅射沉积技术制备金属纳米晶/CNT复合材料。该复合材料的厚度、成分、孔隙率等均可调控,具有高密度纳米尺度孔隙,较高的电导率和弯曲柔韧性能,在高能粒子辐照下,表现出良好的抗损伤性能和结构稳定性。
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“抗辐照损伤金属纳米晶/碳纳米管复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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