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多孔硅基CdS量子点复合材料的制备方法

551   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:26:01
本发明提供一种多孔硅基CdS量子点复合材料的制备方法,经硅片的预处理、腐蚀液的配制、电化学腐蚀得到多孔硅、清洗多孔硅片、表面氧化处理、巯基嫁接、镉离子螯合、CdS量子点的形成,得到多孔硅基CdS量子点复合材料。所得多孔硅基CdS量子点复合材料的激发光源波长在300~400nm之间,复合材料发光的范围属于可见光期间350~700nm之间,发光形式为荧光发光和光致冷发光两种。本发明涉采用阳极腐蚀法制备多孔硅,并在多孔硅表面嫁接对镉离子具有螯合功能的官能团,在含硫气氛中将镉离子作用生成CdS量子点以制备出具有发光特性的孔硅基/CdS量子点复合材料。
声明:
“多孔硅基CdS量子点复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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