本发明公开了一种基于二维MXene上原位生长TiO
2异相结的
复合材料的制备方法,本发明以Ti
3C
2T
x、Ti
2CT
x为钛源,采用低能耗、操作简易的水热法在Ti
3C
2T
x、Ti
2CT
x上原位生长TiO
2,一步制得具有异相结和异质结的复合材料,显著提高了光生载流子的分离效率,使光生电子‑空穴对不仅在TiO
2与Ti
3C
2T
x或Ti
2CT
x的异质结界面发生迁移,还在金红石相TiO
2和锐钛矿相TiO
2的异相结界面发生迁移,从而提高复合材料的量子效率,使其光催化活性大幅提升。本发明制备的复合材料具有优异的光催化活性,是一种优良的光催化剂。
声明:
“基于二维MXene上原位生长TiO2异相结的复合材料及其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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