本发明公开了一种硫化镉敏化硅纳米线
复合材料及制备和应用,包括硅纳米线的制备和硫化镉敏化硅纳米线复合材料的制备。硫化镉敏化硅纳米线复合材料的制备运用连续离子层吸附反应(SILAR)的方法,将长有硅纳米线的硅片,首先浸渍于Cd(NO3)2的乙醇溶液2?min,然后被浸渍于乙醇中1?min并在空气中干燥,之后被浸渍于Na2S的甲醇溶液2?min,最后被浸渍于甲醇中1?min并且在空气中干燥,其中硝酸铬和硫化钠的摩尔比为Cd(NO3)2 : Na2S=1 : 1,此为一个循环,重复循环5~10次,最后在60℃烘箱中干燥即得到硫化镉敏化硅纳米线复合材料。本发明将金属援助化学刻蚀法与连续离子层吸附反应(SILAR)法制备后沉积半导体量子点的方法相结合,所制备的硫化镉敏化硅纳米线复合材料可广泛应用于光电、催化等领域。
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