本发明涉及一种具有电磁阻抗渐变基体的吸波陶瓷基
复合材料快速制备方法,首先采用CVI或PIP工艺制备多孔的碳基复合材料,然后采用RMI工艺得到C‑SiC基复合材料,最后采用氮化工艺,将复合材料中的残余Si转化为Si
3N
4,由此得到基体物相组成由内而外为C→SiC→Si
3N
4,与自由空间的电磁阻抗匹配性能逐渐改善;由外而内为Si
3N
4→SiC→C,对电磁波的损耗能力逐渐增强的吸波型陶瓷基复合材料。本发明工艺可控性强,而且与CVI和PIP法相比具有制备周期短、生产成本低。复合材料在电磁性能方面,基体材料由内而外与自由空间的阻抗匹配性能逐渐改善,由外而内对电磁波的损耗能力逐渐增强,有利于提高复合材料的吸波性能。
声明:
“具有电磁阻抗渐变基体的吸波陶瓷基复合材料快速制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)