本发明公开了一种新型绝缘硅
复合材料及其制备方法,所述新型绝缘硅复合材料,包含中间绝缘层;所述中间绝缘层的上表面和下表面分别设置有单晶硅片;所述中间绝缘层,包含二氧化硅基多元无机复合材料层;所述二氧化硅基多元无机复合材料层的上表面设置有第一二氧化硅膜层;所述二氧化硅基多元无机复合材料层的下表面设置有第二二氧化硅膜层;本发明的新型绝缘硅复合材料能够保持有完整的单晶硅晶格结构,不需采用复杂昂贵设备,整体制备工艺简单、易行、低成本;所述新型绝缘硅复合材料及其制备方法能调节所述中间绝缘层的各组分的厚度和深度分布,不需采用复杂昂贵设备,整体制备工艺简单、易行,且制成的产品的电学性能优良。
声明:
“新型绝缘硅复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)