一种硅化金刚石/SiC
复合材料的制备方法,属于电子封装材料领域。首先将金刚石颗粒与硅粉进行湿混,充分研磨后进行烧结,使得金刚石表面与硅粉发生反应,生成一层碳化硅涂层,然后以表面镀覆碳化硅的金刚石颗粒与硅粉混合,同时加入有机粘结剂,研磨并且在混料机上混料,得到了均匀的复合颗粒。这些复合颗粒经过预压、脱脂,移入真空熔渗炉中,采用硅掩埋法进行真空熔渗,制备了致密的金刚石/SiC复合材料。本发明采用硅粉对金刚石微粒进行了改性,提高了金刚石与硅之间的界面结合性,得到的金刚石/SiC复合材料致密度在95%以上,硬度HRA80以上,抗弯强度超过200MPa,热导率可达到600W/mK,热膨胀系数1.5~4×10‑6/K。本发明可一次制备多种复杂性状,复杂曲率,大尺寸的产品,生产效率高、成本低。
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