本发明公开了一种硫掺杂ReSe
2/MXene
复合材料的制备方法,以MXene为主要基底,将合成的ReSe
2负载在MXene上,将硫元素掺杂到ReSe
2/MXene复合物中,经热处理反应制得硫掺杂ReSe
2/MXene复合材料。所述硫掺杂ReSe2/MXene复合材料导电性佳,层间距增大,比表面积大。MXene特殊的层状结构有效减缓在循环充放电过程中由于
负极材料的团聚或体积膨胀而带来的电学性能下降、结构塌陷等问题;ReSe
2的负载有效提高了层间距,增大比表面积;进一步地,硫元素的掺杂使ReSe
2/MXene复合材料暴露更多活性位点与空位,提高材料的储钾性能。MXene,ReSe
2,硫原子之间以弥补各自的缺陷和不足,具有协同增效作用,最大程度地提高了复合材料的储钾性能,比容量、充放电稳定性、电子转移速率等性能。同时,制备工艺简单,性能可控。
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