本发明提出一种提高2D-C/SiC
复合材料基体开裂应力的方法,对2D-C/SiC复合材料进行2-3个周期的预蠕变处理,预蠕变温度为1400℃-1600℃,在达到预蠕变温度后,保温0.5-1h,保温结束后,对2D-C/SiC复合材料进行加载,加载应力为σ,σ取0.6~1倍的σmax,σmax为2D-C/SiC复合材料原始基体开裂应力的上限值;加载应力保持时间不小于8小时,而后对2D-C/SiC复合材料卸载并降至室温,降温速率不大于12℃/min。本发明通过对2D-C/SiC复合材料预蠕变处理,使材料的基体开裂应力得到明显提高,从而使材料的蠕变寿命得到显著地提高。
声明:
“提高2D-C/SiC复合材料基体开裂应力的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)