本发明公开了一种g‑C3N4包覆NiCo2O4纳米
复合材料及其制法,首先是将NiCo2O4生长在集流体上,然后将g‑C3N4生长在所述NiCo2O4的表面,形成对NiCo2O4的包覆,从而得到g‑C3N4包覆NiCo2O4复合材料,本发明创造性的利用g‑C3N4在超级电容器中的N型“空穴”缺陷,能够非常牢固的包覆在NiCo2O4上形成包覆膜,最终得到核壳结构的g‑C3N4包覆NiCo2O4复合材料,且本发明将g‑C3N4包覆NiCo2O4能充分利用g‑C3N4表面官能团能提供丰富的活性位点,使得到的复合材料具有优异的性能,且g‑C3N4具有二维层状材料独特的机械强度能提高材料整体的循环稳定性。
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